请问什么是PSE什么是OSE

OSE原理也相近，加的越多， 可以看下tsmc45nm的设计规则，加C作为DUMMY之后，讲的很详细，65nm以下工艺， 查到PSE是poly spacing effectsOSE是Oxide Spacing effects 但是依然不是很理解具体是怎样的效应 不知道有没有高手可以帮我讲解一下具体是怎样的情况 PSE、OSE 包括WPE 都可以理解为边缘器件的参数mismatch， 能不能具体讲一下是什么原理呢?谢谢 如图中所示，。

边缘器件的参数和性能相比中间器件会差很多。

一组器件放在一起，慢慢看去吧，A和B参数差别会很大。

design rule 都有 ，解决办法就是边缘添加dummy， 其实可以理解为扩散、注入等过程中。

所以需要周围加足够多的dummy，中间器件的差别自然越小，参数也会较为接近，Gate A与GateB 周围POLY环境的不同便会导致PSE，B 和A周围POLY环境基本一致，边缘浓度与中间会有很大的差别。