SK海力士半导体

于第四季度开始出货 存储器行业首次引进生产用 “High NA EUV” 详细内容请查看https://news.skhynix.com.cn/sk-hynix-story/company-overview/ ，当前在韩国利川和清州、中国无锡和重庆设有四个生产基地，并在全球16个国家和地区设立了销售、研发等基地，作为全球领先的半导体制造商，2012年被SK集团收购以后正式更名为SK海力士株式会社，SK海力士致力于实现持续的研发与投资。

基于过去三十多年的半导体生产运营经验。

SK海力士简介SK海力士前身为1983年成立的现代电子产业株式会社， SK海力士致力于生产DRAM、NAND Flash和CIS非存储器为主的半导体产品，引领全球半导体市场，。

增强技术与成本竞争力， SK海力士公司历程 1983 创立现代电子 1984 韩国首次成功试产16Kb SRAM 1987 开始出口256Kb DRAM 1989 全球半导体市场份额列入前二十 1995 全球首次开发256Mb SRAM 成为韩国十大制造企业 1996 企业公开募股及上市 1999 量产全国最快Graphic 16Mb SDRAM 收购LG半导体 2001 更名为海力士半导体股份公司 脱离现代集团 2004 成功研发NAND Flash产品 2005 开始生产300mm 2006 中国合作工厂竣工 2008 韩国清州M11竣工 2012 SK海力士成立 韩国清州M12竣工 意大利/美国/台湾技术中心成立 2013 全球首次研发TSV技术HBM 2014 重庆后工序生产公司成立 2015 韩国利川M14竣工 2017 研发出20纳米级全球最快的GDDR6 2018 韩国清州M15竣工 韩国利川M16开工 2019 行业首次研发出128层4D NAND 无锡C2F竣工 2020 收购英特尔NAND闪存业务 2021 宣布M16新厂竣工 开发出全球首款HBM3 DRAM 2022 加入SK集团10周年 2023 世界最快‘LPDDR5T’移动DRAM首次商业化 2024 与TSMC签署HBM技术合作谅解备忘录 2025 全球首次完成 “HBM4” 研发并建立量产体系。