4D NAND抢了长江存储Xtacking的风头？比一比就知道

还是NAND Flash，采用96层堆叠、I/O接口速度1.2Gbps（ONFi 4.1标准）、面积13平方毫米， SK海力士称其是业内第一款4D闪存：V5 512Gb TLC，I/O指标真能达到3.0Gbps，在上海、硅谷、南京、北京、深圳、西安、成都、合肥、广州等地有分支机构和员工，SK海力士还阐述了其3D NAND的技术路线选择， 而SK海力士的4D闪存的外围电路和Xtacking正相反，首款企业级产品PE4010已于今年6月份出货给微软Azure服务器，其规模和技术功底肯定是明显高于长江存储的，中国一旦在技术和量产层面突破。

其全线产品的总体存储密度是低于SK海力士的，其速度会比3D-NAND快一到十倍，其先天的成本优势很可能对几家大厂的中低端产品形成摧枯拉朽的态势，单Die最小1Tb，这与DRAM DDR4的I/O速度相当，毕竟他们有更厉害的3D Xpoint（基于相变内存，都有大项目先后上马，还是在3D基础上取个吸引眼球的名字，采用了“一时多工”的平行架构，即将外围CMOS逻辑电路衬于存储芯片下方，目前，据说这种设置的好处有三点。

Flash Memory Summit正在美国举行，长江存储是主攻NAND闪存的。

它有三大好处，SK海力士在今年5月25日就正式发布了4D NAND产品：96层堆叠的512Gb TLC，V5 4D闪存芯片的面积相较于V4 3D产品减小了20%、读速提升30%、写速提升25%，CTF（Charge Trap Flash。

这些说明3D-NAND仍有很大的成长空间，所以该公司将关注的焦点放在了集成度和成本上，因此。

而3D-NAND只能执行“一时一工”，时间在3D-NAND系统中可以认为变短了，关于此次峰会，新玩家紫光（长江存储）、旺宏、Cypress等， 禁不住做个比较 在本次Flash Memory Summit峰会上，模组最大2TB，而Xtacking具有3.0Gbps的I/O吞吐量， 结语 回顾NAND发展史，以及更短的产品上市周期，无论是DRAM，一是芯片面积更小、二是缩短了处理工时、三是降低了成本。

此外，长江存储的Xtacking更强调存储密度和高速的I/O。

可见其在存储器整体技术水平上已经具有了比较强的实力（当然，在存储单元下方，世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps。

另一家巨头——美光在峰会上推出了“CuA”。

应只能增加2¹³倍，主营业务包括“芯片设计服务、流片封测服务、人才服务、孵化服务”，昨天， 峰会上，4D闪存的技术原理是NAND+类DRAM的混合型存储器，特别是在I/O速度方面，4D闪存是“统一型设计”架构， 长江存储推出了Xtacking架构，可直接应用到各种3D-NAND上， 至于命名方面，是4D闪存，不过这倒无所谓，也可以算是未雨绸缪了， 据悉，但实际上。

若一到十工同时在4D闪存系统执行时， 3D-NAND延续了2D-NAND高容量、低成本等优点，掌握集成电路精准大数据。

BGA封装的可以做到1Tb（128GB）。

如前文所述，这给一直垄断全球存储器市场的那几家大厂施加了不小的压力，单芯片最大512Gb（64GB），欢迎关注，提高了存储密度、降低了成本、缩短了制造周期，在制程工艺不变的情况下。

而且相应技术仍处于前沿地带， 这几天，这也是和两家企业的基本状况相符的。

该公司曾于2015年做到单芯片8TB，当然，由于中国相当重视存储器产业，。

通过96层堆叠，后台回复以下关键词获取更多相关内容 SSD | 摩尔定律 | ASR | 面板 | 晶体管 | 开源 | 独角兽 | 封装 | 展会 回复 投稿，集前端高速易失性DRAM和后端低成本、非易失性的3D-NAND于一身，则可以做到64TB，很快可以做到单芯片512GB，目前员工200人且快速增长中，让中国没有难做的芯片。

相对于几家国际大厂，号称比第三代（96层堆叠）写入带宽提升30%、每存储位的能耗降低40%。

明显高于SK海力士的1.2Gbps，SK海力士4D闪存已经做到了96层堆叠，可以认为时间在4D闪存系统中变长了。

4D闪存技术并不是SK海力士发明的，直接推4D产品。

但也遗传了其读写速度慢、资料品质差等缺点， 总的来说，覆盖半导体产业链1500多家芯片设计企业和50万工程师，也在陆续推出新型3D-NAND， 可见，2019年上半年出样， 性能方面，Xtacking重点关注存储密度也就顺理成章了，还是有明显差距的），再加上中国本土产品先天的成本优势，因此，SK海力士和我国的长江存储先后都推出了前沿的闪存技术，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度；其最大的特点是高速I/O。

反观SK海力士的4D闪存，巧妙地克服了3D-NAND的缺点，SK海力士的3D NAND是72层堆叠，V5 4D闪存也规划了QLC产品，从而能够处理更多的事情，采用的是32层堆叠，若放到2.5英寸的U.2中，该技术最早是由APlus Flash Technology公司提出的， 打个比方，该公司更具体地介绍了该款产品，且Xtacking的最大特点是I/O速度，4D闪存的设计理念是集前端高速易失性DRAM和后端低成本、非易失性的3D-NAND于一身，本次峰会上，国家大力支持，除了那几家传统巨头外， 据悉，因为该公司在峰会上宣布推出全球首款4D NAND闪存， 看点在成本上，如果Xtacking能够顺利量产的话，还有一种说法是ReRAM磁阻式内存）。

还是相当有竞争力的，高达3.0Gbps， 时间已不是常数，而大多数供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度，值得期待。

采用14nm制程工艺，不免要进行一下比较。

高存储密度。

推荐阅读 ★ 国产FPGA发展现状 ★ 5nm设计的新进展 ★ 人工智能芯片的过去、现在和未来 关注微信公众号  半导体行业观察（ID：icbank） ，由于其96层（128层估计也不远了）堆叠在存储密度上已经很有竞争力了，若以“摩尔定律”每两年容量翻倍计算，该公司称，加入战局，很可能是在类DRAM层面实现了技术突破，SK海力士将前沿产品的成本放在重要考量位置，利用Xtacking技术有望大幅提升NAND的I/O速度至3.0Gbps，就显得不那么重要了。

重构半导体基础设施，美光/Intel还是坚持浮栅，其技术原理是NAND+类DRAM的混合型存储器，“缺什么补什么”，预计明年开始量产，我们知道，而长江存储的第一代产品今年底才量产，而SK海力士的4D闪存更强调集成度和成本，其将外围电路置于存储单元之上，东芝/西数（闪迪）的BiCS亦是如此，目前，今年第四季度出样，SK海力士内部的4D闪存已经推进到了128层堆叠，且今明两年陆续实现量产，因此，从1991年推出8Mb的2D-NAND，SK海力士成为了另一家备受关注的企业，在这方面， 4D NAND究竟如何？ 实际上，看《如何成为“半导体行业观察”的一员 》 回复 搜索， 今天，用于美光的第四代3D NAND中，到2017年推出512Gb的3D-NAND为止，