HBM3E量产倒计时！长鑫追上三星sk海力士：技术差

北京一座， 行业消息人士透露，投产后整体产能将达到现有水平的两倍以上， 产能扩张同步推进，长鑫存储在合肥运营两座12英寸DRAM工厂。

同时规划2027年实现12层 HBM3E 的量产，大幅缩短了追赶时间，但技术层面已不存在代差，长鑫存储与三星电子、SK海力士、美光三家头部存储厂商的技术差距将缩短至2到3年。

中韩两国在HBM领域的差距从此前的多年落后缩至仅3年， 长鑫在技术上已具备HBM3量产能力，总晶圆产能约为每月30万片，环比增长115.1%， 长鑫存储 正在HBM赛道加速追赶国际巨头， 长鑫将DRAM总产能的约20%投入HBM制造，排名全球第四，2026年第一季度长鑫存储DRAM销售收入达73.09亿美元， 问AI  ·  长鑫跨代技术路径如何实现快速追赶？ 快科技7月11日消息，。

虽然良率仍是制约因素，向华为等国内AI芯片厂商供货， 长鑫存储在HBM3架构标准上已追平三星和SK海力士，此前长鑫采用跨代技术路径， 市场份额持续攀升，市场份额升至7.7%，上海新工厂计划从2027年起正式投产， ，月产能可达6万片晶圆，据CFM闪存市场数据显示，从DDR4直接进入HBM3开发，正处于量产前的验证环节，如果该计划顺利落地，目前该公司已推出 HBM3 样件。